当全球AI算力因HBM(高带宽存储)短缺而窒息时，整个产业都在寻找新的破局者。当前中国半导体面临着设备禁运、技术封锁等多重“不可能”挑战，然而中国制造HBM的可能性究竟如何?透过中国半导体产业链的拆解，也许能得到答案。
HBM核心底座：DRAM制造能力
HBM不是空中楼阁，其70%的价值和技术核心在于DRAM裸片。这意味着，谁掌握了DRAM的自主制造能力，谁就站在了HBM产业链的“C位”。
在这一维度，长鑫存储是目前国内唯一的“支点”。作为中国DRAM产业的领军者，长鑫已将技术差距与国际巨头大幅缩小。根据近期新闻显示，长鑫发布的DDR5、LPDDR5X等产品性能已经达到国际领先水平，这意味着国内企业已具备在现有设备条件下生产高性能DRAM晶圆的能力。
DRAM是制造HBM最基础、也最昂贵的原材料。只要DRAM这一环立住了，剩下的就是如何把它“堆”起来的问题。
TSV技术：刻蚀设备突围
HBM与传统内存最大的区别在于“立体堆叠”，这需要在极薄的芯片内部打通成千上万个垂直通道，技术上称为TSV(硅通孔)。如果没有精密钻孔的能力，HBM就是空谈。
这曾被视为技术高地，但现在已不再是不可逾越的禁区。供应链数据显示，中国在干法刻蚀市场的份额已占据10%，且并未受到最严厉的全面封锁限制。根据公开资料，国产半导体设备供应商的北方华创、中微公司等头部企业，其开发的深孔刻蚀设备在TSV工艺上表现成熟，已经具备满足量产需求的能力。
这两家国产设备巨头的突围，意味着构建HBM内部“垂直电梯井”的硬件工具已经备齐，可以实现物理连接环节。
键合技术：材料补齐短板
解决了TSV问题，接下来的关键关卡是将芯片牢固地粘合，并解决散热问题。目前，行业风向正从传统的TC-NCF转向更先进的MR-MUF(大规模回流模压底填料)技术 。MR-MUF能显著提升散热效率和堆叠层数，是SK海力士称霸HBM界的核心秘籍。
有迹象表明，国产供应链正在积极拥抱这一先进路线。虽然SK海力士拥有独家供应链，但国内材料厂商华海诚科等正在快速补位。
HBM的国产化，绝不是一家企业的单打独斗，而是整个产业链的一次集体升级。
从长鑫存储提供的DRAM晶圆底座，到北方华创与中微公司打通的物理连接，再到材料端的国产化尝试，国产HBM看似不可能的“高墙”下，物理与工程的障碍或许有望逐一拆解。如能突破HBM产品，不仅在AI算力“卡脖子”技术上迈出关键一步，也意味着中国半导体产业具备生产核心先进芯片的完整能力，对整个产业向高端化升级具有重要意义。
审核：王峰 郭江涛 石贵明
校对：小强
